Samsung начал разработку чипов флэш-памяти, которые, как он утверждает, будут в два раза быстрее и в 10 раз прочнее, чем существующая флэш-память, использующаяся в мобильных устройствах.
Так называемая V-NAND флэш-память использует 3D структуру, в которой модули хранения располагаются вертикально, сказал Стив Вейнгер, директор NAND маркетинга Samsung Semiconductor, подразделение Samsung.
Samsung уже производит новые флэш-чипы в полном объеме и предоставил опытные образцы подразделениям компании для квалификации и тестирования. Технология, скорее всего, приведет к появлению твердотельных накопителей в этом году и к интеграции в мобильные устройства в следующем году, – сказал Вейнгер.
3D память заметно отличается от обычной NAND флеш, в которой модули хранения расположены бок о бок. Samsung сложил 24 слоя NAND в одной микросхеме, с каждым стеком связаны собственные внутренние соединения, что делает 3D носитель быстрее, чем обычные NAND.
3D укладка также способствует формированию флэш-продуктов с большей емкостью, – сказал Вейнгер. Начальные продукты могут быть доступны с емкостью от 128 Гб до 1 Тб.
