Меню

Флэш-память 3D V-NAND будет не только у Samsung 13.08.2013 13:46

Неделей ранее компания Samsung открыла эру трехмерных полупроводниковых структур в лице флэш-памяти 3D V-NAND. Южнокорейский производитель выпустил микросхему NAND-флэш емкостью 128 Гбит, состоящую из 24 слоев, соединенных вертикальными металлизированными каналами. Кроме того, каждая ячейка памяти скорее вертикальная, чем плоская. Все вместе взятое дало повод Samsung во весь голос объявить о начале эры вертикальной памяти.

Но при чем здесь компания Micron? Она не могла обойти молчанием факт совершения переворота в производстве флэш-памяти и публично выразила к нему свое отношение. "Нашим клиентам не придется долго ждать выпуска 3D NAND", – сообщил исполнительный директор Micron Марк Дуркан. "Мы начнем опытные поставки образцов 3D NAND в первом квартале 2014 года". Из слов директора Micron следует, что его компания не ожидает сколько-нибудь заметного спроса на 3D NAND до 2015 года.

В свою очередь, компания Toshiba тоже не могла проигнорировать объявление компании Samsung. На специально собранном брифинге руководитель Toshiba пообещал, что его компания совсем скоро выпустит флэш-память, которая по своим характеристикам окажется не хуже а, возможно, даже лучше памяти Samsung 3D V-NAND. Что более интересно, японский производитель NAND-флэш доложил, что начнет массовое производство собственной 3D NAND на год раньше запланированного – в начале 2014 года. Это так называемая память BiCS (Bit Cost Memory), которая выглядит по-настоящему трехмерной, в отличие от пока непонятной многослойной конструкции Samsung.

 

Категории: